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真空晶體生長(zhǎng)爐

真空晶體生長(zhǎng)爐

所屬分類:晶體爐

產(chǎn)品型號(hào):KZDJ-80-15

更新時(shí)間:2024-04-22

描述:真空晶體生長(zhǎng)爐
主要用于LED行業(yè)的寶石類晶體制備,氟化物類晶體生長(zhǎng),燒結(jié),退火等處理

詳細(xì)信息



·真空晶體生長(zhǎng)爐 設(shè)備用途
  主要用于LED行業(yè)的寶石類晶體制備,氟化物類晶體生長(zhǎng),燒結(jié),退火等處理

·真空晶體生長(zhǎng)爐 產(chǎn)品特點(diǎn)

1·模塊化設(shè)計(jì),結(jié)構(gòu)緊湊,外形美觀,

2·采用底部電動(dòng)升降和鐘罩式爐體升降,結(jié)構(gòu)精巧,方便,移動(dòng)平穩(wěn)裝卸料方便

3· 采用觸摸屏+plc控制方式,自動(dòng)化程度高,操作直觀,功能強(qiáng)大。

4· 在觸摸屏內(nèi)可預(yù)存幾十種燒結(jié)工藝,一次編輯,以后直接調(diào)用使用,省去多次編輯工藝的麻煩,避免輸入錯(cuò)誤,燒壞產(chǎn)品。

5· 燒結(jié)的溫度,真空度,等數(shù)據(jù)可實(shí)時(shí)記錄,也可隨時(shí)啟動(dòng)停止記錄,減少無用數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)可查詢,可導(dǎo)出下載。

6· 燒結(jié)溫度高,用石墨發(fā)熱體,發(fā)熱均勻。

·設(shè)備參數(shù)

1· 設(shè)備總功率:≤110Kw;電源電壓:3相380V,50Hz

2·加熱功率:80kw 三相380V(暫定)

2·最高溫度:1500℃

3·額定溫度:0~1400℃

  1. 4. 工作區(qū)尺寸Ф500×300mm(直徑×高,)

5·爐體內(nèi)徑Ф1000*1200mm(暫定)

6.測(cè)溫系統(tǒng):                   鎢萊熱電偶

7.控溫精度:                   ±1℃

8.加熱區(qū):                    Ф540×600mm


9.下降速度:                  慢速升降0.1-10mm/h(伺服控制)

快速升降50-200mm/min(帶手動(dòng)升降)

10.中心軸有效行程/載重:      ≤450mm/200kg

11.爐內(nèi)充氣壓力:             ≤0.03MPa





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